Вклад связанных волноводов в сопротивление гетероструктуры мощных торцевых лазеров InGaAs/GaAs/AlGaAs

А. С. Паюсов^a, Г. О. Корнышов^ab, Н. Ю. Гордеев^a, А. Е. Жуков<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты моделирования зонных диаграмм и вольт-амперных характеристик полосковых лазеров, в которых для подавления паразитных оптических мод расширенного волновода используются два дополнительных волновода, расположенные с $n$-стороны гетероструктуры. Показано, что в рассмотренной конструкции возможно реализовать предельное смещение активной области к $p$-эмиттеру при сохранении лазерной генерации на фундаментальной моде. Вклад дополнительных волноводов в удельное последовательное сопротивление лазерной гетероструктуры составляет 1.9 $\cdot$ 10$^{-6}$ $\Omega$ $\cdot$ cm$^2$, что не превышает 5% от общего удельного последовательного сопротивления типичного мощного лазера InGaAs/GaAs/AlGaAs.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, оптический волновод, последовательное электрическое сопротивление.

Поступила в редакцию: 20.09.2023
Исправленный вариант: 20.10.2023
Принята в печать: 22.10.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.02.56978.19734

Реферативные базы данных:

•