Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn

Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено моделирование концентрационных профилей слоев $n$–AlGaAs, легированных оловом, при выращивании методом жидкофазной эпитаксии из расплава ограниченной высоты. Показана возможность получения толстых градиентных волноводных слоев из расплавов с различным содержанием олова. Исследовано влияние состава растворителя на эффект инверсии градиента профиля алюминия.

Ключевые слова: AlGaAs, фазовые диаграммы, жидкофазная эпитаксия, фотоэлектрические преобразователи.

Поступила в редакцию: 07.09.2023
Исправленный вариант: 11.10.2023
Принята в печать: 13.10.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.01.56924.19721

Реферативные базы данных:

•