Измерение локальных напряжений в поверхностных слоях многослойных структур нуль-методом с использованием фазового синхронизма

М. Ф. Ступак^a, С. А. Дворецкий^bc, Н. Н. Михайлов^bd, С. Н. Макаров^a, А. Г. Елесин<sup>a

a</sup> Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^c Томский государственный университет, Томск, Россия
^d Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Разработан новый нуль-метод для измерения величин остаточных механических напряжений в поверхностных слоях, основанный на измерении сигнала генерации второй гармоники, обусловленной анизотропией поляризации лазерного ИК-излучения, отраженного от поверхности вращаемого исследуемого образца, с последующим прохождением излучения через нелинейный кристалл, ориентированный на синхронизм для анизотропной поляризации. Получены количественные данные о величине амплитуды сигнала второй гармоники в зависимости от приложенных напряжений. Проведено измерение остаточных напряжений в поверхностном слое HgCdTe многослойной структуры HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии, которые составили 0.0045 N. Наблюдаемая тонкая структура сигнала второй гармоники позволяет сделать вывод о сложной структуре остаточных напряжений.

Ключевые слова: напряжения, вторая гармоника, поляризация, полупроводниковая структура.

Поступила в редакцию: 24.07.2023
Исправленный вариант: 29.09.2023
Принята в печать: 11.10.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.01.56923.19692

Реферативные базы данных:

•