Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 1,страницы 14

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора

Н. А. Соболев^a, А. Е. Калядин^a, В. И. Сахаров^a, И. Т. Серенков^a, Е. И. Шек^a, К. В. Карабешкин^a, П. А. Карасев^b, А. И. Титов^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.

Поступила в редакцию: 15.07.2016

DOI: 10.21883/PJTF.2017.01.44084.16420