Аннотация:
Исследованы спектральные зависимости пропускания, поглощения и отражения в полупроводниковых слоях CdS–PbS, перспективных для разработки фотоприемников и излучателей в области окна прозрачности атмосферы. Установлено, что в инфракрасной области спектра на краю поглощения узкозонной фазы (PbS) наблюдается серия тонких линий. Использована методика идентификации экситонных серий и определены энергия связи экситона $(E_{ex})$, концентрация экситонов $(N)$ и величина расщепления валентной зоны $(\Delta E_{v})$.