А. П. Ковчавцев, М. С. Аксенов, A. Е. Настовьяк, Н. А. Валишева, Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Дмитриев, “Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 10,страницы 10

Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As

А. П. Ковчавцев^a, М. С. Аксенов^ab, A. Е. Настовьяк^a, Н. А. Валишева^a, Д. В. Горшков^a, Г. Ю. Сидоров^a, Д. В. Дмитриев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Изучены вольт-фарадные характеристики (ВФХ) структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) Au/Al$_{2}$O$_{3}$/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As и Au/SiO$_{2}$/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As. Установлено, что измерение ВФХ МДП-структур на основе InAlAs фрагментарным способом (в отличие от стандартной методики регистрации при постоянной скорости развертки по напряжению) значительно ослабляет влияние гистерезисных явлений и позволяет записывать стационарные кривые. Показано, что рассчитанная методом Термана из таких ВФХ плотность быстрых интерфейсных состояний слабо изменяется по ширине запрещенной зоны InAlAs и составляет (3–6) $\cdot$10$^{11}$ и (1–3) $\cdot$ 10$^{11}$ eV$^{-1}$ $\cdot$ cm$^{-2}$ для МДП-структур с Al$_{2}$O$_{3}$ и SiO$_{2}$ соответственно.

Ключевые слова: In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As, диэлектрик, вольт-фарадная характеристика, плотность интерфейсных состояний.

Поступила в редакцию: 10.02.2020
Исправленный вариант: 20.02.2020
Принята в печать: 20.02.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.10.49423.18238