А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 4,страницы 33

Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te

А. В. Войцеховский^a, С. Н. Несмелов^a, С. М. Дзядух^a, В. С. Варавин^b, С. А. Дворецкий^ab, Н. Н. Михайлов^ba, Г. Ю. Сидоров^ab, М. В. Якушев^b, Д. В. Марин^b

^a Национальный исследовательский Томский государственный университет
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Пленки $n$-Hg$_{0.775}$Cd$_{0.225}$Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов.

Ключевые слова: Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структура, адмиттанс.

Поступила в редакцию: 28.10.2020
Исправленный вариант: 07.11.2020
Принята в печать: 28.10.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605