Эта публикация цитируется в 3 статьях

Ионный синтез структур кремний на изоляторе" со свинцово-силикатным изолирующим слоем

Э. Ю. Бучин, Ю. И. Денисенко

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия

Аннотация: Исследован процесс ионного синтеза структур “кремний на изоляторе”, основанный на последовательной имплантации ионов кислорода и стеклообразователя в кремниевые подложки. В качестве стеклообразователя использованы ионы свинца. Рассмотрены особенности формирования скрытого силикатного слоя при постимплантационном отжиге. Измерены вольт-амперные характеристики синтезированных структур, а также удельные электрические сопротивления изолятора и приборного слоя кремния.

Ключевые слова: ионная имплантация, стеклообразователь, высокотемпературный отжиг, силикатный изолятор, вольт-амперная характеристика.

Поступила в редакцию: 19.03.2021
Исправленный вариант: 13.04.2021
Принята в печать: 27.04.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.14.51188.18773

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:9, 696–699

Реферативные базы данных:

•