RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 23, страницы 12–14 (Mi pjtf4607)

Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия

З. А. Исахановa, Б. Е. Умирзаковb, С. С. Насриддиновc, З. Э. Мухтаровa, Р. М. Ёркуловa

a Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, Ташкент, Узбекистан
b Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
c Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека, г. Ташкент

Аннотация: Изучены пространственные распределения ионов (K$^{+}$, Na$^{+}$), прошедших через тонкие монокристаллические пленки Al толщиной от 180 до 600 $\mathring{\mathrm{A}}$, и критические углы каналирования. Энергия ионов варьировалась в пределах $E_{0}$ = 10–30 keV. Показано, что увеличение энергии пучка первичных ионов приводит к уменьшению ширины максимумов углового распределения, что связано с уменьшением критического угла каналирования $\psi_{cr}$. Установлено, что $\psi_{cr}$ для осевого каналирования не превышает 4–5$^\circ$, а для плоскостного каналирования – 9–10$^\circ$.

Ключевые слова: критический угол, прохождение ионов, угловое распределение, каналирование, пространственное распределение.

Поступила в редакцию: 07.06.2021
Исправленный вариант: 18.08.2021
Принята в печать: 19.08.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.23.51776.18910



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026