RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 9, страницы 37–40 (Mi pjtf3235)

Высокочистый $p$-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием

Н. С. Рудая, Ю. Б. Болховитянов, К. С. Журавлев, О. А. Шегай, Н. А. Якушева




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026