RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1990
, том 16,
выпуск 9,
страницы
37–40
(Mi pjtf3235)
Высокочистый
$p$
-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием
Н. С. Рудая
,
Ю. Б. Болховитянов
, К. С. Журавлев
, О. А. Шегай
, Н. А. Якушева
Полный текст:
PDF файл (329 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2026