RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1989
, том 15,
выпуск 18,
страницы
30–34
(Mi pjtf2877)
Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах InGaAs/InP
С. И. Радауцан
, Г. Л. Ляху
, А. П. Снигур
,
В. А. Чумак
, В. Г. Лапин
, A. M. Маринова
, К. Г. Ноздрина
Полный текст:
PDF файл (417 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2026