RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1989, том 15, выпуск 18, страницы 30–34 (Mi pjtf2877)

Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах InGaAs/InP

С. И. Радауцан, Г. Л. Ляху, А. П. Снигур, В. А. Чумак, В. Г. Лапин, A. M. Маринова, К. Г. Ноздрина




Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026