RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2223–2225 (Mi phts999)

Краткие сообщения

Исследование быстропротекающих рекомбинационных процессов в имплантированных структурах арсенида галлия

Р. Балтрамеюнас, В. Нятикшис, М. Пятраускас, Э. Жилинскас




© МИАН, 2026