Спектры комбинационного рассеяния света свободными носителями тока и релаксационные характеристики многодолинных полупроводников

В. А. Войтенко


Аннотация: Феноменологически изучено комбинационное рассеяние света свободными носителями тока в многодолинных полупроводниках. Рассмотрен новый механизм рассеяния, связанный с расщеплением долин продольным самосогласованным электрическим полем, созданным носителями при движении. Указана геометрия независимых опытов, позволяющих определить несколько релаксационных характеристик многодолинных полупроводников (продольный и поперечный коэффициенты диффузии, междолинное время релаксации), используя для рассеяния одну лазерную линию. Сравнение предложенной теории с экспериментом показывает, что анизотропия внутридолинных времен релаксации в сильно легированном $n$-Si является более сильной, чем анизотропия тензора обратной эффективной массы.