Фототермическое смещение поверхности полупроводника

В. А. Сабликов


Аннотация: Исследовано движение поверхности полупроводника в условиях фотоакустического эффекта, происходящее вследствие теплового расширения и непосредственного воздействия свободных электронов и дырок на решетку через деформационный потенциал. Установлены основные закономерности в зависимостях амплитуды и фазы смещения поверхности от частоты модуляции света, связанные с электронными процессами переноса. Показано, что анализ этих зависимостей позволяет определять такие характеристики полупроводника, как время жизни носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации и константы деформационного потенциала.