RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2061–2065 (Mi phts959)

О пространственной корреляции доноров и акцепторов в эпитаксиальных слоях GaP с изовалентными и редкоземельными примесями

Л. А. Дмитриева, Т. А. Лагвилава, Э. А. Твирова, Н. С. Рытова, Е. В. Соловьева


Аннотация: Приведены результаты исследований подвижности электронов в эпитаксиальных слоях (ЭС) GaP, не легированных и легированных изовалентными и редкоземельными примесями (ИВП и РЗП). Наблюдается возрастание подвижности электронов при ${T=77}$ K в ЭС, легированных ИБП и РЗП, зависящее от типа, концентрации легирующей примеси, а также от степени компенсации доноров акцепторами. Результаты интерпретируются с точки зрения образования «близких» донорно-акцепторных пар в упругом поле ИВП и РЗП, рассеивающих электроны, как диполь с плечом $L$. Для GaP : Yb ${L=10{-}15}$ Å, для GaP : In ${L=25{-}30}$ Å.



© МИАН, 2026