Физика и техника полупроводников,
1987, том 21, выпуск 11,страницы 2061–2065(Mi phts959)
О пространственной корреляции доноров и акцепторов в эпитаксиальных
слоях GaP с изовалентными и редкоземельными примесями
Л. А. Дмитриева, Т. А. Лагвилава, Э. А. Твирова, Н. С. Рытова, Е. В. Соловьева
Аннотация:
Приведены результаты исследований подвижности
электронов в эпитаксиальных слоях (ЭС) GaP, не легированных
и легированных изовалентными и редкоземельными примесями (ИВП и РЗП).
Наблюдается возрастание подвижности электронов при ${T=77}$ K в ЭС,
легированных ИБП и РЗП, зависящее от типа, концентрации легирующей
примеси, а также от степени компенсации доноров акцепторами.
Результаты интерпретируются с точки зрения образования «близких»
донорно-акцепторных пар в упругом поле ИВП и РЗП, рассеивающих
электроны, как диполь с плечом $L$. Для GaP : Yb ${L=10{-}15}$ Å,
для GaP : In ${L=25{-}30}$ Å.