RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2039–2043 (Mi phts955)

ИК поглощение и излучательная рекомбинация на радиационных дефектах в кремнии, легированном алюминием

В. А. Быковский, Я. И. Латушко, В. В. Петров


Аннотация: В спектрах ИК поглощения и фотолюминесценции облученного нейтронами и электронами Si$\langle$Al$\rangle$ обнаружено значительное количество новых полос, связанных с содержащими алюминий дефектами радиационного происхождения. На основании полученных экспериментальных данных проведена их классификация, установлены природа и симметрия ряда центров.



© МИАН, 2026