Точное решение задачи о шоттковском экранировании заряженной полосы в полупроводнике

А. В. Ефанов, М. В. Энтин


Аннотация: Найдено распределение потенциала вокруг заряженной плоской полосы в полупроводнике. Предполагается, что нелинейное экранирование осуществляется в модели Шоттки, т. е. за счет полного выталкивания электронов из области вокруг пластины. Рассмотрены случаи, когда на полосе постоянны либо плотность заряда, либо потенциал. В таких постановках задача допускает аналитическое решение. Результаты могут быть использованы для расчета распределения потенциала в МДП структуре и в полосковой гетероструктуре. Метод допускает обобщение на систему полос, лежащих в одной плоскости.