Импульсный отжиг ядерно легированного кремния

Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, В. А. Шераухов, Т. Н. Гапонюк, В. К. Шешолко, В. В. Грибковский


Аннотация: Методами низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ), эффекта Холла и ИК поглощения изучен отжиг нейтронно облученного кремния импульсами некогерентного света секундной длительности. На различных стадиях отжига в спектральном диапазоне ${1.17\div0.95}$ эВ наблюдается большое количество линий ФЛ, связанных с радиационными дефектами изоэлектронного типа. Обнаружено, что характер отжига и преобразования дефектов различен для импульсного и стационарного отжига. Так, например, при импульсном отжиге подавлено образование «радиационных» акцепторов. Показано, что импульсный отжиг приводит к полному удалению радиационных дефектов и электрической активации трансмутированного фосфора.