Спектры электроотражения света от поверхности сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$

Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов


Аннотация: В ближней ИК области спектра (${0.7\div1.2}$ эВ) изучены спектры электроотражения (ЭО) света от поверхности сверхрешеток (CP) Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$. Выявлены отличительные особенности спектральных зависимостей для структур с малыми и сверхмалыми (${\lesssim10}$ нм) периодами. Обнаружено существенное различие в характере спектров ЭО света от структур с туннельно прозрачными и непрозрачными барьерами. Приведены оценки упругих напряжений в слоях. Рассмотрены механизмы, обусловливающее возможности появления падающего участка на вольтамперной характеристике структур при протекании тока как вдоль, так и поперек плоскости слоев СР.