Резонансное туннелирование электронов в барьере Шоттки на арсениде галлия

А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, К. О. Постников, И. М. Субботин, Ж. И. Хорват


Аннотация: Метод туннельной спектроскопии использован нами для исследования примесных уровней в запрещенной зоне полупроводника. Проведен численный расчет туннельного тока и его второй производной для барьера Шоттки, содержащего примесные состояния в запрещенной зоне. Показано, что по ширине резонансного пика на туннельном спектре можно определить энергетическое положение примесного уровня.
Впервые наблюдалась серия пиков, обусловленных появлением резонансной компоненты туннельного тока в системе Au$-$GaAs. Из сопоставления теоретических и экспериментальных результатов оценено энергетическое положение резонансного уровня.