RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 1939–1943 (Mi phts937)

Особенности низкотемпературной фотолюминесценции $a$-Si : H

А. А. Андреев, А. В. Жерздев, А. И. Косарев, А. Б. Певцов


Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований кинетических и стационарных свойств фотолюминесценции и фотопроводимости в аморфном гидрированном кремнии при низких температурах (${2\div80}$ K). Обнаружено явление разгорания фотолюминесценции при повышении температуры от 10 до 45 K, сопровождаемое замедлением ее начальной кинетики спада из стационарного состояния. Предложена схема рекомбинации, учитывающая нарушение квазиравновесия в электронной подсистеме неравновесных носителей при низкой, температуре.



© МИАН, 2026