Физика и техника полупроводников,
1987, том 21, выпуск 11,страницы 1939–1943(Mi phts937)
Особенности низкотемпературной фотолюминесценции
$a$-Si : H
А. А. Андреев, А. В. Жерздев, А. И. Косарев, А. Б. Певцов
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных
исследований кинетических и стационарных свойств фотолюминесценции
и фотопроводимости в аморфном гидрированном кремнии при низких температурах
(${2\div80}$ K). Обнаружено явление разгорания фотолюминесценции
при повышении температуры от 10 до 45 K, сопровождаемое замедлением
ее начальной кинетики спада из стационарного состояния. Предложена схема
рекомбинации, учитывающая нарушение квазиравновесия в электронной
подсистеме неравновесных носителей при низкой, температуре.