RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 10, страницы 1888–1892 (Mi phts923)

Равновесный уровень заполнения вакансии в кремнии

В. В. Емцев, Т. В. Машовец, А. В. Дабагян


Аннотация: Исследован процесс образования дефектов, возникающих в кремнии $p$-типа под действием гамма-лучей при 4.2 K. Основное внимание уделено центрам, которые ранее были предположительно идентифицированы как изолированные вакансии. С помощью дифференциального метода Хофмана показано, что рассматриваемые центры характеризуются отрицательной корреляционной энергией.



© МИАН, 2026