П. Т. Орешкин, “О релаксационной спектроскопии глубоких центров”, Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2,страница 384

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страница 384 (Mi phts92)

Письма в редакцию

О релаксационной спектроскопии глубоких центров

П. Т. Орешкин

УДК: 621.315.592

Англоязычная версия: Semiconductors, 1986, 20:2, 241

Реферативные базы данных: