RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 12, страницы 1666–1672 (Mi phts9006)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование полосок двумерного фотонного кристалла путем одновременного фотоэлектрохимического травления щелей и макропор в кремнии

Е. В. Астрова, Г. В. Федулова, Е. В. Гущина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследован процесс совместного электрохимического травления глубоких макропор и щелей в $n$-Si ориентации (100). После удаления подложки области образца, ограниченные со всех сторон замкнутым контуром сквозных щелей, извлекали из образца, оставляя узкие полоски двумерного фотонного кристалла. На примере фотонного кристалла с квадратной решеткой макропор анализируется влияние расстояния между порами и щелью, режимов травления и последующего окисления на шероховатость боковых стенок таких структур, а также на изменение размера и формы пор вблизи щели. Найдены условия, обеспечивающие наименьшее искажение решетки фотонного кристалла и получение наиболее гладких боковых стенок структуры (среднеквадратичная высота неровности $\sim$60 нм).

Поступила в редакцию: 29.04.2010
Принята в печать: 07.05.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1617–1623

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026