Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN$_x$:H с применением фемтосекундных импульсных отжигов

Т. Т. Корчагина^a, В. А. Володин^ab, Б. Н. Чичков<sup>c

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Laser Zentrum Hannover, 30419 Hannover, Germany

Аннотация: Пленки SiN$_x$:H разного состава, осажденные на подложки из стекла и кремния с применением плазмо-химического метода при температуре 380$^\circ$C, были подвергнуты импульсным лазерным отжигам. Обработки проводились с применением излучения титан-сапфирового лазера с длиной волны 800 нм и длительностью импульса 30 фс. Структурные изменения в пленках были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. В исходных пленках с молярной долей избыточного кремния $\sim$1/5 и выше обнаружены нанокластеры аморфного кремния. Были найдены режимы, необходимые для импульсной кристаллизации нанокластеров. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, в исходных пленках с небольшим количеством избыточного кремния ($x>$ 1.25) кластеров кремния обнаружено не было. Импульсные обработки привели к формированию в данных пленках нанокластеров кремния с размерами 1–2 нм.

Поступила в редакцию: 22.04.2010
Принята в печать: 07.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1611–1616

Реферативные базы данных:

•