RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 12, страницы 1655–1659 (Mi phts9004)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние поверхностных химических обработок на свойства контактов Ti–$p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ и Ni–$p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$

И. Г. Атабаев, М. У. Хажиев, Н. А. Матчанов, Т. М. Салиев, К. А. Бобожонов

Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Исследовано влияние различных химических обработок поверхности твердого раствора на свойства контактов Ti–$p$-SiGe и Ni–$p$-SiGe, полученных термическим напылением в вакууме при температуре подложки 350–400$^\circ$C. Травление в различных режимах использовалось для формирования исходной поверхности с различной плотностью поверхностных состояний. Показано, что в структурах на основе никеля при термическом напылении контактов образуется промежуточный слой германосилицида никеля, оказывающего существенное влияние на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур.

Поступила в редакцию: 15.03.2010
Принята в печать: 29.04.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1606–1610

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026