Эта публикация цитируется в 21 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge

В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, В. М. Лантратов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga(In)As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя.

Поступила в редакцию: 24.05.2010
Принята в печать: 28.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1600–1605

Реферативные базы данных:

•