В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 12,страницы 1645

Физика полупроводниковых приборов

Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B

В. П. Кузнецов^ab, В. Б. Шмагин^b, М. О. Марычев^c, К. Е. Кудрявцев^b, М. В. Кузнецов^a, Б. А. Андреев^b, А. В. Корнаухов^a, О. Н. Горшков^a, З. Ф. Красильник^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Слои Si : Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0.8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм.

Поступила в редакцию: 06.05.2010
Принята в печать: 18.05.2010