Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, М. Г. Растегаева, А. В. Рожков, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Показано, что в данных лазерах активная область является релаксированной, что проявляется в разбросе достигаемой максимальной мощности для различных лазеров, полученных из одной гетероструктуры. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для таких лазеров составила 5.5 Вт на зеркало.

Поступила в редакцию: 29.04.2010
Принята в печать: 07.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1592–1596

Реферативные базы данных:

•