RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 12, страницы 1636–1639 (Mi phts9000)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Свободные люминесцирующие слои пористого кремния

Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изготовлены свободные слои пористого кремния толщиной 50–200 мкм с использованием электролита HF-уксусная кислота. Рассмотрены химические аспекты травления, связанные с выделением газов при травлении, способствующих отделению слоев от подложки. Слои обладают устойчивой фотолюминесценцией в видимой области спектра, наблюдаемой с обеих сторон.

Поступила в редакцию: 15.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1588–1591

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026