RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 48–52 (Mi phts9)

Об определении поверхностной подвижности в МДП структуре с переносом заряда

Б. И. Сысоев, В. Д. Антюшин, В. Д. Стрыгин

Воронежский технологический институт

Аннотация: Теоретически показано, что поверхностную подвижность носителей заряда в инверсионном слое МДП структуры с электродом специальной формы из высокоомного материала можно определить, измеряя продольную и нормальную к поверхности структуры компоненты тока в резистивно-емкостной цепи с распределенными параметрами. Даны критерии выбора материала и геометрии электрода, диапазона частот тестового сигнала, наиболее удобных для измерений. Отличительной особенностью предложенного метода является отсутствие нежелательных эффектов, связанных с наличием межэлектродного барьера для носителей заряда при измерениях подвижности на двухэлектродных МДП структурах с зарядовой связью.

Поступила в редакцию: 12.05.1985
Принята в печать: 05.07.1985



© МИАН, 2026