Эта публикация цитируется в 24 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Фотофизические свойства индоло[3,2-b]карбазолов – перспективного класса материалов для оптоэлектроники

В. М. Светличный^a, Е. Л. Александрова^b, Л. А. Мягкова^a, Н. В. Матюшина^a, Т. Н. Некрасова^a, А. Р. Тамеев^c, С. Н. Степаненко^c, А. В. Ванников^a, В. В. Кудрявцев<sup>a

a</sup> Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва

Аннотация: Проведен сравнительный анализ фотофизических свойств новых синтезированных индокарбазолов – индоло[3,2-b]карбазола и его производных. Показано, что они по своим светочувствительным (интегральная светочувствительность – до (5–8) $\cdot$ 10$^{-2}$ (лк $\cdot$ с)$^{-1}$, спектральная – на уровне 10$^5$ см$^2$/Дж$^{-1}$; квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда – 0.1) и транспортным (эффективная подвижность в 5,11-диоктилиндоло[3,2-b]карбазола – более 10$^{-5}$ см$^2$/(В $\cdot$ с)) параметрам значительно превосходят производные индола и карбазола и приближаются к пентацену, имеющему среди молекулярных сред (органических кристаллов) наибольшие квантовые выходы фотогенерации носителей заряда. Высокий уровень фотолюминесценции синтезированных производных индоло[3,2-b]карбазола позволяет надеяться на возможность их использования в электролюминесцентных приборах.

Поступила в редакцию: 26.04.2010
Принята в печать: 26.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1581–1587

Реферативные базы данных:

•