RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 12, страницы 1624–1628 (Mi phts8998)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния

И. А. Курова, Н. Н. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотопроводимости слоистых и стандартных нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния в широкой области температур (130–420 K) и интенсивностей освещения (0.1–60 мВт $\cdot$ см$^{-2}$). Установлено, что более высокая фоточувствительность слоистых пленок по сравнению со стандартными пленками определяется малой темновой проводимостью слоистых пленок вследствие более глубокого положения равновесного уровня Ферми в запрещенной зоне и отсутствием температурного гашения их фотопроводимости. Показано, что эти особенности электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок можно объяснить малой концентрацией оборванных связей кремния по сравнению с концентрацией связанных с кислородом акцепторных центров, имеющих большой коэффициент захвата для дырок.

Поступила в редакцию: 12.04.2010
Принята в печать: 26.04.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1576–1580

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026