Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN

В. С. Сизов^ab, В. В. Неплох^a, А. Ф. Цацульников^ab, А. В. Сахаров^ab, В. В. Лундин^ab, Е. Е. Заварин^ab, А. Е. Николаев^ab, А. М. Минтаиров^c, J. L. Merz<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, 46556, USA

Аннотация: Исследованы свойства светодиодных структур с активной областью InGaN/GaN, излучающие в диапазоне 500–550 нм. Исследована фотолюминесценция структур при различном значении внешнего смещения и температуре, а также с временным разрешением. При обратном смещении обнаружено уменьшение времени жизни носителей, связанное с туннельной утечкой носителей из активной области. Проведено моделирование механизма туннельной утечки с учетом больцмановского распределения носителей по энергиям и показано хорошее согласие расчетных и экспериментальных зависимостей. Показано, что туннельный транспорт оказывает значительное влияние на характеристики структур с активной областью InGaN/GaN.

Поступила в редакцию: 01.06.2010
Принята в печать: 07.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1567–1575

Реферативные базы данных:

•