А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, А. В. Бобыль, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. А. Корчевой, О. С. Литвин, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, “Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 12,страницы 1607

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co

А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, А. В. Бобыль^c, В. Н. Иванов^b, Л. М. Капитанчук^d, В. П. Кладько^a, Р. В. Конакова^a, Я. Я. Кудрик^a, А. А. Корчевой^a, О. С. Литвин^a, В. В. Миленин^a, С. В. Новицкий^a, В. Н. Шеремет^a

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Научно-исследовательский институт "Орион", Киев
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины

Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd–$n^{++}$-InP и барьерных Au-TiB$_x$–$n$-$n^+$-$n^{++}$-InP при облучении $\gamma$-квантами $^{60}$Co до доз 10$^9$ P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd–Ti–Pd–Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления $\rho_c$ существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-$n^+$-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при $T$ = 400$^\circ$C образце с барьерными контактами Au-TiB$_x$–$n$-$n^+$-$n^{++}$-InP, облученном до дозы 2 $\cdot$ 10$^8$ P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10$^9$ P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при $T$ = 400$^\circ$C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при $T$ = 400$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 29.04.2010
Принята в печать: 18.05.2010