Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Увеличение эффективности вывода излучения тонкопленочных фотолюминесцентных композитных структур на основе PbSe

Н. П. Анисимова, Н. Э. Тропина, А. Н. Тропин

АО НИИ "Гириконд", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована возможность увеличения эффективности вывода излучения фотолюминесцентных структур на основе PbSe путем нанесения просветляющего слоя. Для расчета спектров отражения системы в работе предложена трехслойная тонкопленочная модель, центральный слой которой представлен композитной средой. В рамках теории эффективной среды в приближении фон Бруггемана вычислена эффективная диэлектрическая проницаемость композитного слоя. С использованием предложенной модели проведен расчет толщины просветляющего слоя халькогенида мышьяка AsS$_4$. Величина оптимальной толщины слоя AsS$_4$, полученная из экспериментов, близка к расчетным значениям, а соответствующее ей увеличение фотолюминесценции достигает 60%.

Поступила в редакцию: 20.04.2010
Принята в печать: 26.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1554–1558

Реферативные базы данных:

•