Эта публикация цитируется в 20 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Гальваномагнитные, термоэлектрические свойства и электронное строение монокристаллических BiTeBr и BiTeI

В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, З. В. Лаврухина, А. Н. Кузнецов, А. В. Шевельков

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Методом Бриджмена синтезированы монокристаллы BiTeI и BiTeBr и исследованы их гальваномагнитные и термоэлектрические свойства. Оба полупроводника обладают $n$-типом проводимости. Термоэлектрическая эффективность BiTeBr существенно больше, чем термоэлектрическая эффективность BiTeI, что связано главным образом с большим значением коэффициента Зеебека у первого соединения. Для обоих кристаллов на уровне теории функционала плотности рассчитана зонная структура и показано, что оба соединения являются полупроводниками с непрямой запрещенной зоной.

Поступила в редакцию: 04.05.2010
Принята в печать: 18.05.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1548–1553

Реферативные базы данных:

•