Эта публикация цитируется в 14 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца

А. И. Артамкин^a, А. А. Добровольский^a, А. А. Винокуров^a, В. П. Зломанов^a, С. Ю. Гаврилкин^b, О. М. Иваненко^b, К. В. Мицен^b, Л. И. Рябова^a, Д. Р. Хохлов<sup>a

a</sup> Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe(V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на $\sim$20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10$^5$ см$^2$В$^{-1}$с$^{-1}$ в образцах с $N_V\le$ 0.21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия $N_V$ = 0.26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe(V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Поступила в редакцию: 20.04.2010
Принята в печать: 26.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1543–1547

Реферативные базы данных:

•