Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал–VO$_2$ в спектральной области 1.3–1.6 мкм

А. Б. Певцов, С. А. Грудинкин, А. Н. Поддубный, С. Ф. Каплан, Д. А. Курдюков, В. Г. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В актуальной для практических применений спектральной области 1.3–1.6 мкм (Telecom standard) выполнены численные расчеты параметров трехмерного фотонного кристалла на основе пленочного композита опал-VO$_2$. Установлен диапазон степеней заполнения (0.25–0.6) опаловых пар, при которых исследуемый композит в этом интервале длин волн обладает свойствами трехмерного диэлектрического фотонного кристалла. Синтезированы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе композитов опал-VO$_2$ с заданными параметрами, обеспечивающими при фазовом переходе полупроводник-металл в VO$_2$ максимальный сдвиг ($\sim$170 мэВ) фотонной запрещенной зоны в окрестности длин волн $\sim$1.5 мкм.

Поступила в редакцию: 13.04.2010
Принята в печать: 23.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:12, 1537–1542

Реферативные базы данных:

•