Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами

А. В. Горбатюк^a, И. В. Грехов^a, Д. В. Гусин<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассматривается процесс выключения полупроводниковых переключателей с распределенными микрозатворами при наличии небольших встроенных технологических неоднородностей параметров их структур. Динамика этого процесса исследуется на основе аналитической модели оттеснения остаточной плазмы и динамики области объемного заряда в базе с учетом ионизации в сильных электрических полях. Пространственно-неоднородная структура переключателя моделируется двумя группами управляемых ячеек с различающимися параметрами – коэффициентами инжекции эмиттеров или временами жизни носителей в $n$-базах. Связь всех ячеек по напряжению дополняется взаимодействием прибора с внешней цепью. В рамках предложенной модели исследован опасный эффект локализации тока на стадии выключения, возникающий даже при относительно малом разбросе параметров. Полученные результаты позволяют количественно характеризовать влияние технологических неоднородностей на область безопасной работы мощных биполярных переключателей с микрозатворами.

Поступила в редакцию: 26.05.2010
Принята в печать: 21.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1529–1536

Реферативные базы данных:

•