Эта публикация цитируется в 24 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge

Н. А. Калюжный^a, А. С. Гудовских^b, В. В. Евстропов^a, В. М. Лантратов^a, С. А. Минтаиров^a, Н. Х. Тимошина^a, М. З. Шварц^a, В. М. Андреев<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур $n$-GaInP/$n$–$p$-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования $p$–$n$-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых $p$–$n$-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого $p$–$n$-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток–напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на $\sim$1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока $\sim$1.5 А/см$^2$.

Поступила в редакцию: 07.06.2010
Принята в печать: 22.06.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1520–1528

Реферативные базы данных:

•