RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11, страницы 1559–1562 (Mi phts8988)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb

Ю. Б. Васильевa, F. Gouiderb, G. Nachtweib, P. D. Bucklec

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Institut für Angewandte Physik, Technische Universitat Braunschweig, D-38106 Braunschweig, Germany
c QinetiQ Ltd, Malvern WR14 3PS, United Kingdom

Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на $p$-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0.0219$m_0$ ($m_0$ – масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 12.04.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1511–1514

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026