Эта публикация цитируется в 6 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)

А. И. Машин^a, А. В. Нежданов^a, Д. О. Филатов^b, М. А. Исаков^b, В. Г. Шенгуров^b, В. Ю. Чалков^b, С. А. Денисов<sup>b

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применен для исследования пространственного распределения элементного состава и упругих напряжений в cамоформирующихся островках Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH$_4$. В спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных в области размером $<$ 100 нм на поверхности образца, идентифицированы линии, связанные с колебательными модами Si–Si, Ge–Ge и Si–Ge. Полученные карты распределения сдвигов указанных линий по поверхности образца были пересчитаны в карты распределения атомной доли Ge$_x$ и упругой деформации $\varepsilon$, усредненных по толщине слоя островков. Изучена зависимость $x$ и $\varepsilon$ от температуры роста и номинальной толщины осажденного слоя Ge.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 12.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1504–1510

Реферативные базы данных:

•