Эта публикация цитируется в 1 статье

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями

В. А. Козлов, В. А. Вербус

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 20.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1499–1503

Реферативные базы данных:

•