Н. В. Байдусь, П. А. Белевский, А. А. Бирюков, В. В. Вайнберг, М. Н. Винославский, А. В. Иконников, Б. Н. Звонков, А. С. Пилипчук, В. Н. Порошин, “Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11,страницы 1543

Эта публикация цитируется в 9 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле

Н. В. Байдусь^a, П. А. Белевский^b, А. А. Бирюков^a, В. В. Вайнберг^b, М. Н. Винославский^b, А. В. Иконников^c, Б. Н. Звонков^a, А. С. Пилипчук^b, В. Н. Порошин^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики НАН Украины, г. Киев
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Показано, что дальнее инфракрасное излучение электронов в селективно-легированных гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях существенно зависит от степени легирования ям. При большой концентрации примеси в узкой яме, более (1–2) $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$, излучение обусловлено только непрямыми внутриподзонными переходами электронов. При меньшей концентрации наряду с непрямыми переходами вклад в излучение дают и прямые межподзонные переходы, которые становятся возможными в сильных электрических полях вследствие пространственного переноса электронов между квантовыми ямами.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 20.04.2010