Эта публикация цитируется в 7 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях

А. В. Иконников^a, К. Е. Спирин^a, В. И. Гавриленко^a, Д. В. Козлов^a, О. Драченко^b, H. Schneider^b, M. Helm<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Dresden High Magnetic Field Laboratory and Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, P.O.Box 510119, 01314 Dresden, Germany

Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4.2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 08.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1492–1494

Реферативные базы данных:

•