Эта публикация цитируется в 2 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа

В. Б. Шмагин^a, В. П. Кузнецов^b, К. Е. Кудрявцев^a, С. В. Оболенский^c, В. А. Козлов^a, З. Ф. Красильник<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si : Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя $p^+/n^+$-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне $\lambda\approx$ 1.5 мкм ($\sim$5 мкВт), внешняя квантовая эффективность ($\sim$10$^{-5}$) и эффективность возбуждения ионов эрбия ($\sim$2 $\cdot$ 10$^{-20}$ см$^2$с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа $p^+/n$-Si : Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 20.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1486–1491

Реферативные базы данных:

•