Эта публикация цитируется в 10 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя

С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы времена релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Ge при возбуждении наносекундным узкополосным источником терагерцового излучения в зависимости от приложенного к образцу напряжения смещения. Показано, что в допробойных полях время релаксации растет с приложенным электрическим полем, а при превышении поля примесного пробоя уменьшается. В исследованных образцах, различающихся концентрацией акцепторов и степенью компенсации, наблюдалась немонотонная кинетика фотопроводимости при приближении к полю примесного пробоя.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 08.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1476–1479

Реферативные базы данных:

•