Эта публикация цитируется в 2 статьях

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне

А. В. Антонов, Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1–2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет $D^*$ = 10$^9$ см $\cdot$ Гц$^{1/2}$ $\cdot$ Вт$^{-1}$. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1.5 мкм составляет менее 10 нс.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 08.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1464–1466

Реферативные базы данных:

•