Эта публикация цитируется в 1 статье

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках

Е. Е. Орлова

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведен анализ основных факторов температурной зависимости инверсной заселенности на переходах мелких примесей в полупроводниках в рамках четырехуровневой схемы инверсии: заполнение нижнего состояния лазерного перехода при разогреве с основного состояния, уменьшение населенности долгоживущего примесного состояния из-за термической ионизации и при увеличении скорости прямой рекомбинации на основное состояние с излучением оптических фононов. Определены температуры, при которых указанные факторы становятся существенными. Показано, что термическая ионизация с долгоживущего состояния является основным фактором, определяющим температурное гашение стимулированного излучения на переходах по состояниям мелких доноров в кремнии.

Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 20.04.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:11, 1457–1463

Реферативные базы данных:

•